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TECHSEM
湖北臺基半導(dǎo)體
 
株洲中車南車CRRC可控硅晶閘管
 
清華大學(xué)電子廠可控硅晶閘管
 

門極觸發(fā)強度對晶閘管開通特性的影響

晶閘管是一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件,它要求門極驅(qū)動單元類似于一個電流源,能向晶閘管的門極提供一個特別陡直的尖峰電流脈沖,以保證在任何時刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強烈的影響。我們建議用戶應(yīng)用中采用強觸發(fā)方式,觸發(fā)脈沖電流幅值IG大于或等于10IGT;脈沖上升時間tr≤1μs。為了保證器件可靠工作,IG必須遠(yuǎn)大于IGT

但在實際應(yīng)用中,許多用戶觸發(fā)脈沖電流幅值和脈沖上升時間遠(yuǎn)未能滿足上述要求。尤其在電機軟啟動領(lǐng)域,許多整機廠給出的觸發(fā)脈沖非常臨界,某些情況下竟無法讓元件開通。在中頻電源領(lǐng)域,逆變器件的觸發(fā)脈沖一般陡度較差。針對不同門極觸發(fā)條件對晶閘管開通特性的影響問題,我們進行了一系列的模擬試驗。

一、觸發(fā)脈沖幅值對晶閘管開通的影響

晶閘管樣品:臺基公司 Y45KKE 實測門極參數(shù) IGT: 78 mA ,VGT:1.25V。

在 VD:300V,di/dt:130A條件下試驗。

下圖A、B、C分別為觸發(fā)脈沖幅值IG =1A、200mA、80mA時的元件開通電壓波形。

不同觸發(fā)脈沖幅值下的開通電壓波形

由上圖可見,晶閘管的門極觸發(fā)電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響,高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時間。下表為不同門極觸發(fā)電流值下測試所得的器件開通時間值。

IGT (mA) 1000 500 370 280 200 100 80
tgt(μs) 2.1 2.3 2.4 2.6 3.2 6.4 20.2

可見,在觸發(fā)脈沖幅值接近于器件IGT時,器件雖可開通,但器件開通的延遲效應(yīng)非常明顯,可能會高達數(shù)十微妙,這對于整機設(shè)備的可靠控制、安全運行是不利的。

二、觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管開通的影響

晶閘管樣品:臺基公司 Y70KKG 門極參數(shù) IGT: 129 mA ;VGT:1.69V。

在 VD:300V,di/dt:130A/μs條件下試驗。

下圖D、E分別為觸發(fā)脈沖幅值500mA上升時間0.5μs、 1.5μs時的元件開通電壓波形。

不同觸發(fā)脈沖上升時間下的開通電壓波形

由圖可見,觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管的開通速度也有明顯的影響,觸發(fā)脈沖上升時間越長,效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時間越短的情況下,晶閘管的開通時間也越短。

三、晶閘管可靠觸發(fā)對門極觸發(fā)源要求

1. 一般要求

鑒于晶閘管的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管開通過程的影響。好的觸發(fā)脈沖可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強。用戶應(yīng)用中應(yīng)采用強觸發(fā)方式:

  • 觸發(fā)脈沖電流幅值:IG=10IGT
  • 脈沖上升時間:tr≤1ms
  • 門極脈沖寬度大于50微秒
  • 為了保證器件可靠工作,IG必須遠(yuǎn)大于IGT

2. 高di/dt下運用

器件在高di/dt下運用時,特別是當(dāng)晶閘管的阻斷電壓很高時,在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會超過門極電壓,嚴(yán)重時,甚至?xí)归T極電流倒流。這種負(fù)的門極電流會引起開通損耗增加或器件因di/dt損壞??赡軙?dǎo)致器件高di/dt損壞。

下圖為一只Y50KKE器件在VG 10V,di/dt 1200A/μs條件下的IG波形。可見在器件開通1ms后,出現(xiàn)了門極電流倒流的現(xiàn)象。

高di/dt條件下的門極電流波形

因此,我們要求在高di/dt下運用時門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V,或在門極線路上串聯(lián)二極管,防止門極電流倒流。

3. 晶閘管串并聯(lián)使用

晶閘管的串聯(lián):晶閘串聯(lián)管應(yīng)用時,要求其相互串聯(lián)的每個晶閘管應(yīng)盡可能地一致開通,這是因為較慢開通的器件可能承受過電壓,這就要求同組相串聯(lián)的晶閘管之間有最小的門極開通延遲時間偏差Δtd ,而強的門極觸發(fā)脈沖能使這個延遲時間偏差Δtd 降到最小。

晶閘管的并聯(lián):陡而強的門極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開通特性的不平衡降至最小,從而使有最佳的均流效果。

在晶閘管串并聯(lián)使用時,要求:

  • IGM ≈1- 3A
  • diG/dt ≥ 1A/m s
  • tr ≤1 m s
  • tp(IGM) =5- 20 m s
 
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